第335章稳定人心 (第2/2页)
长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nand闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。
它与传统二维材料相比，其速度快了100万倍。所�
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长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nand闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。
它与传统二维材料相比，其速度快了100万倍。所�
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